Kristallide liimimine – laserkristallide komposiittehnoloogia

Lühikirjeldus:

Kristallide sidumine on laserkristallide komposiittehnoloogia. Kuna enamikul optilistel kristallidel on kõrge sulamistemperatuur, on tavaliselt vaja kõrgel temperatuuril kuumtöötlust, et soodustada kahe täpse optilise töötluse läbinud kristalli pinnal olevate molekulide vastastikust difusiooni ja sulandumist ning lõpuks stabiilsema keemilise sideme moodustamiseks. , et saavutada tõeline kombinatsioon, seetõttu nimetatakse kristallide sidumise tehnoloogiat ka difusioonsidetehnoloogiaks (või termilise sidumise tehnoloogiaks).

Küsige kohe Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Toote kirjeldus

Laserkristallide sidumistehnoloogia rakendamise olulisus seisneb: 1.Laserseadmete/süsteemide miniaturiseerimises ja integreerimises, nagu Nd:YAG/Cr:YAG liimimine passiivsete Q-lülitusega mikrokiiplaserite tootmiseks; 2. Laservarraste termilise stabiilsuse parandamine Toimivus, nt YAG/Nd:YAG/YAG (st puhta YAG-ga ühendatud, moodustades laservarda mõlemas otsas niinimetatud "otsakangi") võib märkimisväärselt vähendada Nd:YAG varda otspinna temperatuuri tõus, kui see töötab, kasutatakse peamiselt pooljuhtide pumpamiseks Tahkislaserid ja tahkislaserid, mis nõuavad suure võimsusega tööd.
Meie ettevõtte praeguste peamiste YAG-seeria liimitud kristalltoodete hulka kuuluvad: Nd:YAG ja Cr4+:YAG liimitud vardad, Nd:YAG, mis on mõlemast otsast ühendatud puhta YAG-iga, Yb:YAG ja Cr4+:YAG liimitud vardad jne; läbimõõt Φ3 ~15mm, pikkus (paksus) 0,5-120mm, saab töödelda ka ruudukujulisteks ribadeks või ruudukujulisteks lehtedeks.
Liimitud kristall on toode, mis ühendab laserkristalli ühe või kahe puhta mitteleegitud homogeense substraatmaterjaliga sidumistehnoloogia abil, et saavutada stabiilne kombinatsioon. Katsed näitavad, et sidumiskristallid võivad tõhusalt vähendada laserkristallide temperatuuri ja vähendada otsapinna deformatsioonist põhjustatud läätsede termilise efekti mõju.

Omadused

● Otsapinna deformatsioonist põhjustatud termoläätsede vähenemine
● Parem valguse-valguseks muundamise efektiivsus
● Suurenenud vastupidavus fotokahjustuste lävi
● Parem laserväljundkiire kvaliteet
● Vähendatud suurus

Tasasus	<λ/10@632.8nm
Pinna kvaliteet	10/5
Paralleelsus	<10 kaaresekundit
Vertikaalsus	<5 kaareminutit
Chamfer	0,1 mm@45°
Kattekiht	AR või HR kate
Optiline kvaliteet	Häireääred: ≤ 0,125 tolli kohta Häireääred: ≤ 0,125 tolli kohta