Nd:YVO4 – dioodpumbaga pooljuhtlaserite esiletõstetud pilt

Nd:YVO4 – dioodpumbaga tahkislaserid

Lühike kirjeldus:

Nd: YVO4 on üks kõige tõhusamaid laser-peremeeskristalle, mis praegu dioodlaseriga pumbatavate tahkislaserite jaoks on olemas.Nd:YVO4 on suurepärane kristall suure võimsusega, stabiilsete ja kulutõhusate dioodpumbaga tahkislaserite jaoks.

Küsige kohe Saada meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Tootekirjeldus

Nd:YVO4 suudab toota võimsaid ja stabiilseid IR, rohelisi, siniseid lasereid Nd:YVO4 disaini ja sageduse kahekordistuskristallidega.Rakendustes, kus on vaja kompaktsemat disaini ja ühe pikisuunalise režiimi väljundit, näitab Nd:YVO4 oma erilisi eeliseid teiste tavaliselt kasutatavate laserkristallide ees.

Nd:YVO4 eelised

● Madal laseristamise lävi ja kõrge kalde efektiivsus
● Suur stimuleeritud emissiooni ristlõige laseri lainepikkusel
● Suur neeldumine laia pumpamise lainepikkuse ribalaiusel
● Optiliselt üheteljeline ja suur kaksikmurduvus kiirgab polariseeritud laserit
● Madal sõltuvus pumpamise lainepikkusest ja kalduvus ühemoodilisele väljundile

Põhiomadused

Aatomitihedus	~1,37x1020 aatomit/cm2
Kristalli struktuur	Tsirkoon tetragonaal, ruumirühm D4h, a=b=7,118, c=6,293
Tihedus	4,22 g/cm2
Mohsi kõvadus	Klaasitaoline, 4,6 ~ 5
Soojuspaisumine Koefitsient	αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K
Sulamispunkt	1810 ± 25 ℃
Lasing lainepikkused	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Soojusoptiline Koefitsient	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Stimuleeritud emissioon Ristlõige	25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorestseeruv Eluaeg	90 ms (umbes 50 ms 2 atm% Nd legeeritud) @ 808 nm
Neeldumistegur	31,4 cm-1 @ 808 nm
Absorptsiooni pikkus	0,32 mm @ 808 nm
Sisemine kaotus	Vähem 0,1% cm-1, @1064 nm
Ribalaiuse suurendamine	0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Polariseeritud laser Emissioon	paralleelne optilise teljega (c-telg)
Diood pumbatud Optilisest optiliseks Tõhusus	> 60%
Sellmeieri võrrand (puhaste YVO4 kristallide jaoks)	nr2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 – 0,04724) – 0,0108133λ2
	nr2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 – 0,04813) – 0,0122676λ2

Tehnilised parameetrid

Nd lisandi kontsentratsioon	0,2 ~ 3 atm%
Dopandi taluvus	10% kontsentratsioonist
Pikkus	0,02 ~ 20 mm
Katte spetsifikatsioon	AR @ 1064nm, R<0,1% & HT @ 808nm, T>95%
	HR @ 1064nm, R>99,8% & HT@ 808nm, T>9%
	HR @ 1064 nm, R>99,8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95%
Orienteerumine	a-lõike kristalliline suund (+/-5 ℃)
Mõõtmete tolerants	+/-0,1 mm (tüüpiline), kõrge täpsusega +/-0,005 mm on saadaval nõudmisel.
Lainefrondi moonutus	<λ/8 633 nm juures
Pinnakvaliteet	Parem kui 20/10 Scratch/Dig MIL-O-1380A kohta
Paralleelsus	< 10 kaaresekundit